当施加于电介质的电压超过某一临界值时，介质中的电流突然增大，这种现象称为电击穿。发生电击穿时的电压，称为电介质的耐击穿强度，又称介电强度，常用V/cm表示，cm为试样的厚度。

击穿的机理可分为热击穿和电子击穿两类。

热击穿是因电压作用，玻璃受电流所产生的热量而加热，使电阻下降，以致材料的局部发生热破坏，甚至局部熔化。一般来说，试样越厚，击穿强度越小。

电子击穿是由于电压直接加速了物质内部电子对其他原子的冲击，从而激发更多电子从价带跃迁到导带，最后引起电子的“雪崩过程”而击穿。

还有一种原因，认为是电化学击穿，即玻璃长时间停留在恒定的电场中，使组成破坏，产生不可逆的化学变化，改变了电极附近的化学成分。结果玻璃中的电场变得不均匀，甚至产生导致破裂的巨大应力而击穿。电化学击穿的产生的时间与玻璃电导率的大小有关。

玻璃的组成对介电强度有很大影响。通常引入能提高玻璃电阻率的氧化物可使玻璃的介电强度增大。例如玻璃中引入SiO2能提高玻璃的介电强度，透明石英玻璃的介电强度可达400kV/cm，不透明石英玻璃则在150～200kV/cm之间。而引入碱金属氧化物时，则使玻璃的介电强度降低。例如厚度为2～6mm的工业玻璃，其极限电压为30～70kV。最好的玻璃能经受的5000kV/cm电场强度而不会被击穿。

此外，玻璃的介电强度随温度的升高而降低，同时还与电压增高的速度、玻璃内部的缺陷以及电场的均匀与否有关，对于大功率、高电压的电子器件使用玻璃作为绝缘零件时，要特别注意。

呼和浩特玻璃 2019年9月6日